Samsung start productie 512 GB embedded Universal Flash Storage

Samsung Electronics, speler in geavanceerde geheugentechnologie, heeft aangekondigd dat het begonnen is met massaproductie van de eerste 512 gigabyte (GB) embedded Universal Flash Storage (eUFS) -oplossing voor gebruik op de volgende generatie mobiele apparaten. Met behulp van de nieuwste 64-laags 512-gigabit (Gb) V-NAND-chips van Samsung biedt het nieuwe 512GB eUFS-pakket een hogere opslagcapaciteit en prestaties voor aankomende smartphones en tablets.

"De nieuwe Samsung 512GB eUFS biedt de beste embedded storage-oplossing voor de eersteklas premium smartphones door mogelijke beperkingen in systeemprestaties die kunnen optreden bij het gebruik van micro SD-kaarten te overwinnen, zei Jaesoo Han, executive vice president van Memory Sales & Marketing bij Samsung Elektronica. "Door een vroege, stabiele toevoer van deze geavanceerde embedded storage te verzekeren, zet Samsung een grote stap vooruit door bij te dragen aan de tijdige lancering van mobiele apparaten van de volgende generatie door mobiele fabrikanten overal ter wereld."

Bestaande uit acht 64-laags 512 Gb V-NAND-chips en een controllerchip, alle op elkaar gestapeld, verdubbelt Samsung's nieuwe 512 GB UFS de dichtheid van de eerdere 48-laags V-NAND-gebaseerde 256GB eUFS van Samsung, in dezelfde hoeveelheid ruimte als de 256GB pakket. De verhoogde opslagcapaciteit van de eUFS zorgt voor een veel uitgebreidere mobiele ervaring. De nieuwe eUFS met hoge capaciteit stelt bijvoorbeeld een vlaggenschip-smartphone in staat om ongeveer 130 4K Ultra HD (3840 × 2160) videoclips van 10 minuten  op te slaan, wat ongeveer een vertienvoudiging is ten opzichte van een eUFS van 64 GB, waardoor slechts ongeveer 13 videofragmenten van hetzelfde formaat zo beweert Samsung.