Weebit Nano ontwikkelt nieuwe generatie niet-vluchtig geheugen ReRAM
Ook in de halfgeleiderindustrie wordt nog steeds druk geïnnoveerd op het gebied van geheugens. Zeker nu China bezig is aan een inhaalslag om een dominante rol te gaan spelen in deze markt, worden nieuwe concepten warm ontvangen. Het Israëlische bedrijf Weebit Nano is bezig om een alternatief voor flash-geheugen te ontwikkelen. Nu nog niet direct om ze in een array (geheugenmodule) te stoppen en als losse module te leveren, op dit moment richt de ontwikkeling zich op de integratie in intelligente chips. We spraken met Coby Hanoch, de CEO van Weebit Nano, om meer te horen over dit project.
Flash-geheugen is een niet-vluchtig geheugen dat zeer populair is. Dat staat buiten kijf. Toch kleven er voor sommige toepassingen bezwaren aan, en die zitten vooral aan de productiekant. De meeste processoren worden gemaakt van SiOx, siliciumoxide. Een proces waar al meer dan 50 jaar ervaring mee is, dat massaal wordt toegepast en zeer robuust is. Flash-geheugen vergt een ander en complexer productieproces. Geen bezwaar, maar het is voor processoren die in de integratie gecombineerd moeten worden met niet-vluchtig geheugen, duurder en complexer omdat er twee productieprocessen na elkaar nodig zijn. Weebit Nano heeft nu een geheugen ontwikkeld dat helemaal in siliciumoxide te vervaardigen is. Daardoor kunnen geheugenmodules naadloos in het design geïntegreerd worden en zonder extra productiestappen mee geproduceerd worden. Voor flashgeheugens zijn zeven productiestappen nodig, voor dit geheugen slechts één.
De halfgeleiderindustrie vaart wel bij de vraag naar geheugens en processoren, er worden gigantische groeicijfers gerealiseerd. In de top 10 van grote bedrijven zijn producenten van halfgeleiders inmiddels dominant te vinden. Dat is ook China opgevallen en men heeft deze industrie als groeikern gedefinieerd. Weebit Nano kon daarmee snel de partners vinden die nodig zijn om het concept concreet te maken. CEO Coby Hanoch is dan ook zeker van zijn zaak: “De toekomst van het niet-vluchtige geheugen heet resistive RAM, of ReRAM”.
Dit jaar ligt de focus op geheugenmodules van 1 Mbit, voldoende voor de meeste integraties in chips. In de toekomst, als de architectuur (in het bijzonder de switcher) verder geoptimaliseerd is, kunnen ook losse geheugenmodules gebouwd worden. In het huidige design wordt een transistor als switcher gebruikt, dat is tevens de grootse component in het ontwerp. Aan een nieuwe en compactere switcher wordt gewerkt met de partners. Als die oplossing er is kunnen ook losse geheugenmodules geproduceerd worden. Hiervoor heeft men naar verwachting nog 2 tot 3 jaar nodig.
Het geheugen element is een “programmeerbare” weerstand. Het Resitive RAM is gebouwd tussen twee metaallagen, de SiOx-ionen in de laag maken een één of nul door het omdraaien van spanning over de geheugencel.
Door: Hans Steeman
