ASML en imec openen gezamenlijk High NA EUV Lithography Lab

Na een bouw- en integratieperiode van jaren is het Lab klaar om toonaangevende fabrikanten van logica- en geheugenchips, evenals leveranciers van geavanceerde materialen en apparatuur, toegang te bieden tot het eerste prototype High NA EUV-scanner (TWINSCAN EXE:5000) en de omliggende verwerking en metrologische hulpmiddelen.

De opening van het gezamenlijke ASML-imec High NA EUV Lab vertegenwoordigt een mijlpaal in de voorbereiding van High NA EUV voor productie in grote volumes – die naar verwachting zal plaatsvinden in de periode 2025-2026. Door toonaangevende fabrikanten van logica en geheugenchips toegang te geven tot de High NA EUV-prototypescanner en omliggende tools (waaronder een jas- en ontwikkelingstraject, metrologietools, wafer- en maskerbehandelingssystemen), ondersteunen imec en ASML hen bij het verminderen van de risico's technologie en ontwikkelen particuliere High NA EUV-gebruiksscenario's voordat de scanners operationeel zullen zijn in hun productiefabrieken. Er zal ook toegang worden verleend tot het bredere ecosysteem van materiaal- en apparatuurleveranciers en tot imecs High NA-patroonprogramma.

Het klaarmaken van de 0,55 NA EUV-scanner en infrastructuur volgde op intensieve voorbereidingen die in 2018 begonnen. In deze periode waren ASML en ZEISS in staat om High NA EUV-scannerspecifieke oplossingen te ontwikkelen met betrekking tot de bron, optica, lensanamorficiteit, stiksels en verminderde scherptediepte. , randplaatsingsfouten en nauwkeurigheid van de overlay. Intussen heeft imec, in nauwe samenwerking met zijn uitgebreide leveranciersnetwerk, het patroonvormingsecosysteem voorbereid, inclusief de ontwikkeling van geavanceerde resist- en onderlaagmaterialen, fotomaskers, metrologie- en inspectietechnieken, (anamorfe) beeldvormingsstrategieën, optische nabijheidscorrectie (OPC) en geïntegreerde patroon- en etstechnieken. Het voorbereidende werk resulteerde onlangs in de eerste belichtingen, waarbij voor het eerst 10 nm dichte lijnen (20 nm pitch) werden getoond, gedrukt in Veldhoven op metaaloxide resists (MOR's) met behulp van de 0,55 NA EUV-prototypescanner.

DRAM

Imec's president en CEO Luc Van den hove: “Hoge NA EUV is de volgende mijlpaal in de optische lithografie, die de patroonvorming van metalen lijnen/ruimtes met een pitch van 20 nm in één enkele belichting belooft en de volgende generaties DRAM-chips mogelijk maakt. Dit zal de opbrengst verbeteren en de cyclustijd en zelfs de CO2-uitstoot verminderen in vergelijking met bestaande multi-patterning 0,33 NA EUV-schema's. Het zal daarom van cruciaal belang zijn om de wet van Moore tot ver in het ångström-tijdperk door te drukken. We zijn nu enthousiast om deze mogelijkheden in het echte leven te verkennen, met behulp van het prototype High NA EUV-scanner. Voor imec en zijn partners zal het High NA EUV Lithography Lab fungeren als een virtuele uitbreiding van onze 300 mm cleanroom in Leuven, waardoor we het patroonecosysteem verder kunnen verbeteren en de resolutie van de High NA EUV naar zijn ultieme limieten kunnen duwen."

ASML's President en CEO Christophe Fouquet: “Het ASML-imec High NA EUV Lithography Lab biedt onze EUV-klanten, partners en leveranciers de mogelijkheid om toegang te krijgen tot het High NA EUV-systeem voor procesontwikkeling, terwijl ze wachten tot hun eigen systeem beschikbaar is in hun fabrieken . Dit soort zeer vroege betrokkenheid bij het ecosysteem is uniek en zou de leercurve van de technologie aanzienlijk kunnen versnellen en de introductie in de productie kunnen vergemakkelijken. We zijn vastbesloten om met High NA EUV samen te werken en onze klanten te ondersteunen tijdens deze reis.”