Nexperia breidt chipproductie in Hamburg uit
Nexperia investeert 200 miljoen dollar in het uitbreiden van zijn productiecapaciteit in het Duitse Hamburg. Het wil hier de volgende generatie wide bandgap (WBG)-chips producten, waaronder siliciumcarbide (SiC) en galliumnitride (GaN). Tegelijkertijd vergroot het bedrijf zijn productiecapaciteit voor silicium (Si) diodes en transistors.
WBG-chips zijn onder meer in gebruik in elektrische voertuigen en datacenters. Deze chips zijn onder meer geschikt voor aanzienlijk hogere voltages, frequenties en temperaturen dan conventionele halfgeleidermaterialen, zoals silicium en galliumarsenide. Zij worden onder meer gebruikt in bepaalde LED's en lasers, evenals radiofrequentie (RD)-toepassingen zoals radars.
Voor het realiseren van de nieuwe productiecapaciteit breidt het van oorsprong Nederlandse Nexperia een bestaande fabriek in Hamburg uit. Het wil hiermee inspelen op de groeiende vraag naar efficiƫnte halfgeleiders. De productie GaN D-Mode transistors en SiC diodes in Hamburg is al van start gegaan. Nexperia werkt daarnaast aan 200mm productielijnen voor SiC MOSFEt's en GaN HEMTs, die in de komende twee jaar moeten worden gerealiseerd. Nexperia wil ook zijn bestaande infrastructuur in Hamburg verder automatiseren en zijn productiecapaciteit hier verder opvoeren.